| 000 | 03184cam a22003852i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | PE-TmUNAS | ||
| 005 | 20221128184039.0 | ||
| 006 | a||||fr|||| 00| 0 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 220317s2013 ag ad||frfn|| 00| 0 spasd | ||
| 020 | _a978-987-1609-40-6 | ||
| 040 |
_aBiblioteca Central de la Universidad Nacional Agraria de la Selva _bspa _cCatalogación de la Biblioteca Central de la Universidad Nacional Agraria de la Selva, transcrita por la Biblioteca Central de la Universidad Nacional Agraria de la Selva, sin modificaciones posteriores _dBiblioteca Central de la Universidad Nacional Agraria de la Selva _erda |
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| 041 | 0 |
_aspa _hspa |
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| 082 | 0 | 4 |
_a621.3815 _222 |
| 100 | _aPedro Julián | ||
| 245 | 1 | 0 |
_aDispositivos semiconductores : principios y modelos / _cPedro Julián ; [edición: Damián Fernández ; corrección de estilo: Vanesa García ; diseño y armado de interior: Alberto Alejandro Moyano ; diseño de tapa: Iris Biaggini] |
| 250 | _aPrimera edición. | ||
| 264 | 3 | 1 |
_aBuenos Aires, Argentina : _bAlfaomega grupo editor Argentino, S. A., _c2013 |
| 264 | 3 | 3 |
_aMéxico, D.F. : _bCargraphics, S.A. de C.V. _c2013 |
| 264 | 3 | 4 | _c©2013 |
| 300 |
_aXXI, 262 páginas : _bfiguras (blanco y negro) ; _c23 cm |
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| 336 |
_2rdacontent _atexto impreso |
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| 337 |
_2rdamedia _asin mediación |
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| 338 |
_2rdacarrier _avolumen |
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| 490 | 0 | _aIngeniería Microelectrónica | |
| 500 | _aIncluye información profesional del autor--Cubierta posterior. | ||
| 504 |
_aBibliografía: páginas [261]-262. _b20 |
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| 505 | 2 | _aMensaje del editor -- Sobre el autor -- Prefacio -- Modelos de circuitos eléctricos -- Introducción a los semiconductores -- Juntura Semiconductora y Diodos -- Capacitor MOS -- Transistor MOS -- Transistores Bipolares : Conducción: conceptos auxiliares. Electroestática. Potenciales de contacto. Modelos de SPICE. | |
| 520 | 3 | _a"Este libro brinda una introducción a la electrónica en semiconductores -también llamada de estado sólido para carreras de Ingeniería en electrónica, electricidad, computadoras, comunicaciones, control y sistemas. Provee una explicación de los mecanismos de conducción eléctrica en Silicio, que luego se utiliza para el desarrollo de cuatro dispositivos fundamentales de la electrónica actual: el diodo de juntura, el capacitor Metal-Oxido-Semiconductor (MOS), el transistor MOS y el transistor bipolar de juntura. Esta obra conduce al estudiante a entender el funcionamiento de cada uno de los dispositivos, partiendo de sus principios fundamentales y que, a partir de allí, comprenda, en profundidad, los diferentes modelos eléctricos que puede utilizar para representarlo, sus alcances y limitaciones. El objetivo principal es que el estudiante conozca y sepa emplear los distintos modelos de los dispositivos electrónicos, de acuerdo al rango de amplitud y frecuencia, para su futura utilización en el diseño y análisis de circuitos."--Cubierta Posterior. | |
| 521 | 3 |
_aMaterial bibliográfico para estudiantes universitarios, docentes e investigadores. _bPE-TmUNAS |
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| 526 | 0 | _aIngeniería Mecánica Eléctrica | |
| 546 | _aEn español. | ||
| 942 |
_2ddc _cBK |
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| 998 | _cjjrg/lhta | ||
| 999 |
_c156168 _d156168 |
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